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    p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法

    1052   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:57:02
    p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法,涉及探測器用光電薄膜制備領域,尤其涉及一種p型SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法。本發明的方法通過使用SnTe單靶,利用射頻磁控濺射方法,采用較低的靶材功率、無需升高襯底溫度、無需后退火處理即可得到已經晶化的、符合化學計量比的p型二元化合物SnTe納米薄膜材料。本發明制備方法簡單、有效、低能耗,成膜均勻、連續,所得薄膜與基底的粘附性好,并實現了SnTe納米薄膜光電材料的大面積制備。
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