本發明公開了一種用于氣敏材料的多孔硅/氧化鎢納米線復合結構的制備方法,首先采用p型單晶硅作為基底,利用雙槽電化學的方法在基底表面制備多孔硅層;再以金屬鎢作為耙材,利用磁控濺射的方法在多孔硅表面沉積金屬鎢薄膜;最后,在水平管式爐中,以氬氣作為工作氣體,氧氣作為反應氣體,600~750℃條件下,制得多孔硅/氧化鎢納米線復合結構的氣敏材料。本發明降低了制備氧化鎢納米線生長溫度,顯著提高了復合結構氣敏材料的比表面積,在150℃的條件下對2ppm?NO2的靈敏度為4.76,具有制備工藝簡單,易于控制,成本低廉以及對NO2高靈敏度探測等優點。
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