本發明公開了一種高深寬比微結構反射式干涉顯微無損測量裝置,解決了現有測試技術無法對硅基MEMS器件中高深寬比溝槽結構的深度和寬度進行無損測量的問題。本裝置充分利用近紅外光能夠穿透硅基底的優勢,可以用大數值孔徑會聚光束進行測量;針對顯微物鏡會聚的大數值孔徑光束被待測樣品的溝槽結構調制降低光束聚焦性的問題,設置顯微物鏡出瞳像差監測光路和像差主動補償系統,使得大數值孔徑光束能夠匯聚到溝槽底部;使用垂直掃描干涉法,得到待測樣品溝槽結構的深度和寬度測量結果。本發明克服了現有測量技術無法實現硅基MEMS器件高深寬比溝槽結構無損測量的難點,能夠對待測樣品深溝槽結構的深度和寬度進行高精度無損測量。
聲明:
“高深寬比微結構反射式干涉顯微無損測量裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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