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    > SiC MOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法

    SiC MOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法

    1192   編輯：管理員   來源：中冶有色網  
    2023-03-19 08:58:00
    本發明公開了一種SiCMOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法，在SiCMOSFET模塊柵極施加一個高柵壓，工作在盲區之上，分別施加小電流和長脈寬大電流，獲得小電流的溫度敏感參數和大電流含有自升溫的溫度敏感參數；通過反向逆推大電流含有自升溫的溫度敏感參數，獲得未產生自升溫的校溫曲線，結合小電流的校溫曲線，建立校溫曲線庫；基于校溫曲線庫，在小電流和長脈寬大電流下，測試升溫后模塊的兩個溫度值，計算二者溫度結果的差值；根據溫度差值的大小與參考溫度差值作比較，即可在不破壞模塊封裝的情況下判斷模塊內部的溫度分布情況。本發明避免了在實際工況下，模塊內部多芯片溫度分布不均勻、溫度差異大，導致個別芯片可靠性明顯降低的問題。
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    “SiC MOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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