本發明屬于光學元件制造技術領域,具體涉及一種基于惰性離子束刻蝕的氚污染光學膜無損去除方法。針對現有技術中使用酸刻蝕去除氚污染的光學膜的缺點,本發明的技術方案是:首先測定與待去膜光學元件同工藝的光學膜厚度;然后標定離子束對元件表面光學膜的刻蝕速率;最后采用能量為100eV~1500eV,束流為100mA~500mA,離子束入射角度為?90°~90°的惰性離子束對元件表面的氚污染光學膜進行準確刻蝕去除。采用本發明方法,可有效地解決現有酸刻蝕技術去除氚污染光學膜的不足,同時保證光學基底的表面質量、光學性能及抗激光損傷能力不受影響。
聲明:
“基于惰性離子束刻蝕的氚污染光學膜無損去除方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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