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    檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的方法及檢測系統

    1235   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:58:04
    本發明公開了一種檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的方法,所述方法包括以下步驟:利用圓偏振光輻照待測的半導體晶體或外延薄膜材料,并檢測所產生的無偏壓電流的電流方向;根據所述無偏壓電流的電流方向,判斷所述待測的半導體晶體或外延薄膜材料的極性。另外本發明還公開了一種半導體晶體或外延薄膜材料極性的檢測系統。本發明的測試系統可在常溫常壓下工作,檢測精確度高、制樣簡單快捷、檢測速度快,對測試樣品具有無損性,而且對測試人員的要求很低,操作非常容易,每個樣品的測試時間僅為10分鐘左右,更為重要的是整套測試系統價格低廉,可以大大降低測試成本。
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