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    檢測晶片基底二維形貌和溫度的裝置

    1202   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:58:11
    本發明提供的檢測晶片基底二維形貌和溫度的裝置,屬于半導體材料無損檢測技術領域。該檢測晶片基底二維形貌和溫度的裝置在N個第一分光片和N個第二分光片上分別設有鍍膜區域,鍍膜區域使各分光片形成不同的反射率和透過率,從而通過N個第一分光片和N個第二分光片,可以使入射到樣品上并返回的N束第一種反射光分成兩個方向,分別進行探測,能夠得到用于檢測晶片基底二維形貌的數據;該裝置還通過在第一分光片或者第二分光片相應區域鍍膜的方法,在第一分光片或者第二分光片上耦合溫度測量裝置,得到用于檢測晶片基底溫度的數據。由于鍍膜精度極高,因此,能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。
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