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    SOI晶圓鍵合質量檢測方法及系統

    1186   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:58:18
    本發明提供了一種SOI晶圓鍵合質量檢測方法及系統,檢測方法包括如下步驟:提供第一晶圓和第二晶圓,第一晶圓包括依次疊置的第一硅層、第一二氧化硅層和第一鍵合金屬層,第二晶圓包括依次疊置的第二硅層、第二二氧化硅層和第二鍵合金屬層,第一晶圓和第二晶圓通過第一鍵合金屬層與第二鍵合金屬層相互鍵合以形成測試結構;對測試結構進行電容電壓測試,得到測試結構的電容電壓測試曲線,并根據電容電壓測試曲線表征測試結構的鍵合質量。本發明針對低溫鍵合SOI晶圓界面的質量評估需求,通過對測試結構進行電容電壓測試,實現了對SOI晶圓鍵合質量快速且無損的表征,揭示了鍵合界面的電學特性,對于三維單片集成工藝的開發具有重要意義。
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