本發明涉及微機電MEMS器件的微形貌測試,具體是一種基于紅外白光干涉技術的微結構形貌測試方法,解決了現有測試技術無法對MEMS器件中深溝槽結構側壁形貌進行測量的問題,以下列步驟實現:1)在待測側壁表面進行阻止紅外線透射的無損處理;2)以紅外光源作為測量光源,紅外光經透鏡組調整為平行光束,經分光器件分成參考光束、檢測光束,檢測光束透射深溝槽結構的側壁,經側壁與無損處理的交界面反射后,與經參考鏡面反射的參考光束相干迭加,形成干涉條紋圖樣;3)干涉條紋圖樣經光學透鏡、CCD圖像傳感器傳輸至計算機,分析處理得所測側壁的三維形貌圖。本發明突破了現有測量技術無法實現深溝槽結構測量的缺點,應用領域廣。
聲明:
“基于紅外白光干涉技術的微結構形貌測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)