本申請涉及一種納米薄膜靜電疲勞測試方法,屬于納米薄膜靜電測試方法技術領域。納米薄膜靜電疲勞測試方法包括提供納米薄膜;提供電極板;提供位移傳感器;提供直流電壓源;提供絕緣支撐件,絕緣支撐件具有檢測通孔;將絕緣支撐件支撐于納米薄膜和電極板之間,使電極板位于檢測通孔的下方,納米薄膜覆蓋于檢測通孔的上方且與電極板平行設置,將直流電壓源的正極與納米薄膜電連接,將直流電壓源的負極與電極板電連接;啟動直流電壓源,通過位移傳感器測量納米薄膜向檢測通孔內凹陷的位移量。該納米膜靜電疲勞測試方法,易操作、對納米薄膜無損傷,且適用于現場實測。
聲明:
“納米薄膜靜電疲勞測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)