權利要求
1.一種氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,其原料包括氮化硅和燒結助劑;所述燒結助劑包括氧化鋁、氮化鋁和氧化鐿;
所述原料包括按重量份數計的如下組分:氮化硅80~92份,氧化鋁2~4份,氮化鋁3~8份,氧化鐿3~8份。
2.根據權利要求1所述的氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,所述燒結助劑的用量為所述原料總量的8~20wt%。
3.根據權利要求2所述的氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,所述氮化硅、氧化鋁、氮化鋁和氧化鐿的粒徑為0.2~0.8μm。
4.根據權利要求2所述的氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,所述氮化硅基陶瓷材料通過以下制備方法制備而成:
將氮化硅、燒結助劑與去離子水混合,并加入成型劑混合均勻后獲得固含量為50~55%的水基漿料,之后進行球磨混合,在球磨過程中加入消泡劑和分散劑,球磨完成后采用噴霧干燥制得氮化硅基陶瓷材料。
5.根據權利要求4所述的氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,所述成型劑的添加量為所述原料總含量的1~2wt%,所述消泡劑的添加量為所述原料總含量的0.1~0.5wt%,所述分散劑的添加量為所述原料總含量的1~2wt%。
6.根據權利要求5所述的氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,所述成型劑選用聚乙二醇或聚乙烯醇;所述消泡劑選用正辛醇;所述分散劑選用聚丙烯酸。
7.根據權利要求1~6任一項所述的氮化硅基陶瓷材料,其特征在于,所述氮化硅基陶瓷材料的粒徑為40~80μm,松裝密度>0.8g/cm3。
8.一種陶瓷軸瓦的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1,冷等靜壓,將如權利要求1-7任一項所述的氮化硅基陶瓷材料進行冷等靜壓得到圓柱形的陶瓷生坯;
S2,脫蠟和預燒,將所述陶瓷生坯在氮氣保護氣氛下負壓載氣脫蠟獲得預燒陶瓷坯;
S3,氣壓燒結,將所述預燒陶瓷坯進行粗加工,之后送入燒結爐中,在含氮氣體下進行氣壓燒結獲得陶瓷軸瓦半成品;
S4,磨加工,將陶瓷軸瓦半成品進行磨加工,獲得陶瓷軸瓦。
9.根據權利要求8所述的陶瓷軸瓦的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述冷等靜壓過程中,壓力為250~280MPa,壓制時間為8~10min。
聲明:
“氮化硅基陶瓷材料及陶瓷軸瓦的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)