本發明公開了一種基于二端子阻抗測量模式的四端子電阻抗層析成像方法,屬于電學無損檢測技術領域。所述方法包括如下步驟:建立電阻抗層析成像傳感器的有限元模型,計算相鄰激勵、相對激勵或者對角線激勵模式下的四端子靈敏度矩陣;繼電器雙T型多通道切換模塊選通傳感器的電極,進行二端子阻抗測量;將二端子阻抗值轉換成相應激勵模式下的四端子阻抗值;求解敏感場內電導率差異分布,并進行圖像重建。本發明適用于非侵入式電阻抗層析成像技術,尤其適用于四端子阻抗測量方式不滿足應用需求或者不具備四端子阻抗測量儀器的情形。本發明可有效提高所重建圖像的對比度和分辨率,加快成像速度。
聲明:
“基于二端子阻抗測量模式的四端子電阻抗層析成像方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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