一種半導體材料表面光電壓的測量方法,其特征是方法步驟為:(1)準備需要測量的表面清潔的半導體材料;(2)準備好開爾文探針系統和照射光源;(3)利用開爾文探針系統測量在光照射前后半導體材料表面電子功函數的變化曲線圖,讀取光照射前后材料表面的電子功函數值;(4)計算得出半導體材料表面光電壓。本發明的特點是:利用開爾文探針測量半導體材料在光照射前后的電子功函數變化,從而獲得表面光電壓數據。本發明的優點是:該測量方法是一種無損檢測方法,具有操作簡單便捷、經濟實用、數據精確等優點。
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