本發明公開了一種半導體等離子體頻率測量方法。本發明首先將兩個金屬刀片平行設置在待測半導體表面上方,然后向其中一個刀片刃口與待測半導體表面之間的狹縫發射寬頻電磁波,在待測半導體表面激發出表面等離子體波,并利用設置在另一刀片外側的光譜分析裝置接收耦合出的電磁波;通過調整寬頻電磁波頻率以及兩個刀片的間距,使得光譜分析裝置剛好不能接收到入射寬頻電磁波的全部頻率信號,記錄下此時光譜分析裝置所能探測到的最大頻率值;將該最大頻率值乘以,即為待測半導體的等離子體頻率。本發明方法利用表面等離子體波在半導體表面的傳播特性對半導體等離子體頻率進行準確實時地測量,具有實現成本低、對半導體無損傷、測量范圍廣等優點。
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