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    c面GaN材料應力沿c軸分布信息的測量方法

    1111   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:58:38
    本發明公開了一種c面GaN材料應力沿c軸分布信息的測量方法,主要解決現有技術不能用x射線衍射儀獲取應力沿c軸分布的信息的問題。其技術步驟是:將c面GaN材料水平放置于x射線衍射儀的載物臺;依次對GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面進行對光;以不小于50nm的步長減小x射線透射深度,并在各透射深度下獲取(103)晶面的布拉格角;將測得的一組布拉格角代入布拉格方程,得到一組(103)晶面的面間距;根據這一組面間距計算c面GaN材料應力沿c軸分布的信息。本發明測試成本低,對被測材料無損傷,能獲取一組應力沿c軸的分布信息,可用來分析c面GaN材料應力沿c軸的分布。
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