本發明公開了一種基于GaN HEMT器件的自激驅動與功率變換電路。該電路采用了新型的GaN基HEMT器件,提高電路工作頻率至MHz。器件采用了硅襯底,并采用了Q1和Q2雙晶體管片上設計,兩個晶體管共用一個晶圓,減小體積、降低成本、提升可靠性控制。器件還采用了集成式反向并聯二極管結構,提升器件的反向導通特性。電路通過功率電路主變壓器中的第三輔助繞組Na,采用正反饋模式的自激驅動腔自動為Q1提供驅動信號,無須控制芯片,Q1的驅動需要通過針對GaN HEMT器件特殊的驅動緩沖電路來保證其可靠驅動。電路進一步采用了集成式的高頻電流逐周期檢測方案,與自激驅動腔共用一個線圈,省去了電流檢測電阻,實現了無損耗電流檢測。
聲明:
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