本發明涉及電子科學與技術的技術領域,更具體地,涉及一種全電極凸紋結構CMUT器件的制備方法,將高濃度摻雜的硅晶圓作為基底,使用表面微加工技術和電鍍工藝,依次在基底上制備絕緣層、空腔、振動薄膜、凸紋結構的圓環,全覆蓋于振動薄膜的頂電極、底電極極板及導線,完成全電極凸紋結構CMUT器件的制備。本發明制備的全電極凸紋結構CMUT器件,在塌陷工作模式下能有效提升輸出聲壓從而達到增加超聲波發射功率的效果;該制備方法技術成熟,適合大批量制造。該發明可用于生物醫學檢測、工業無損探傷等使用超聲檢測領域中超聲換能器的加工制造,并將推進基于CMUT器件的超聲探頭技術的發展與應用,具備廣闊的市場應用前景。
聲明:
“全電極凸紋結構CMUT器件的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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