本發明屬于半導體技術領域,公開了一種紫外光電二極管及其制備方法。所述紫外光電二極管,包括以下結構:襯底;GaN層,設置于所述襯底的上表面;Ti3C2肖特基接觸層和歐姆接觸層,相對設置于所述GaN層上表面的兩側;金屬觸點層,設置于所述Ti3C2肖特基接觸層的上表面。所述紫外光電二極管具有優異的紫外光探測性能,響應度率大,比探測率高,響應速度快,且具有高電流開關比;所述制備方法無需復雜的金屬沉積或濺射工藝,對半導體表面無損傷,工藝簡單。
聲明:
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