本發明涉及半導體領域,尤其涉及一種硅晶棒的處理方法及切片方法。本發明公開了硅晶棒的處理方法,包括:對截斷為預定長度的硅晶棒進行滾圓處理,去除所述硅晶棒表面的氧化層;對滾圓處理后的硅晶棒進行晶相測定,使用粒度為#200~#600的第一砂輪對硅晶棒進行開槽處理,形成槽區;使用粒度為#700~#900的第二砂輪在所述槽區內進行精細研磨;在所述槽區內加入混合酸進行腐蝕處理,去除所述槽區內的表面損傷。本發明還公開了利用上述方法處理硅晶棒后,進行多線切割,形成硅片的切片方法。本發明的硅晶棒處理方法可以形成無損傷的開槽,降低裂片形成幾率。
聲明:
“硅晶棒的處理方法及切片方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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