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    柵氧化層失效分析方法及所用測試結構

    729   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:59:29
    本發明涉及一種用于柵氧化層失效分析的測試結構及柵氧化層失效分析方法,所述測試結構包括含有柵氧化層的待測半導體器件,以及位于所述待測半導體器件外圍的在施加偏置電壓后能產生光發射的至少1個半導體器件,避免了現有技術在失效定位過程中產生的疊圖偏差,達到準確定位柵氧化層的失效位置的目的。
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