本發明涉及半導體可靠性分析領域,尤其涉及一種半導體器件失效分析的方法。本發明建立一種針對存儲器的失效分析的方法,通過對失效區域及其周圍區域的連接通孔進行電壓對比分析并對電壓對比分析結果剖析,以檢測出快閃存儲器由于冗余替換的存儲區域缺陷經過可靠性測試或實際使用后造成的臨近區域的失效問題。在可靠性失效中對冗余替換的信息進行分析,為冗余電路的替換造成的可靠性失效問題提供有力的分析依據,并對可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。
聲明:
“半導體器件失效分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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