一種在半導體器件中進行失效分析的方法,包括:提供待測的半導體器件,所述半導體器件包括晶片和封裝覆層;在封裝覆層的一側形成暴露晶片正面的開口;在暴露的晶片正面進行失效分析;填充所述開口;在封裝覆層的另一側進行研磨直至暴露晶片背面;在暴露的晶片背面進行失效分析。與現有技術相比,本發明采用先在晶片正面開口,后在晶片背面研磨的方法,實現在晶片的正背面分別進行一次失效分析,提高了失效分析的準確性,增強了失效分析的效果,改善了晶片的利用率。
聲明:
“在半導體器件中進行失效分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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