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    半導體失效檢測結構及形成方法、檢測失效時間的方法

    956   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:59:30
    一種導體失效檢測結構以及形成方法和檢測方法,所述檢測結構包括:基底,所述基底具有核心器件區和外圍器件區,所述核心器件區的基底上具有分立的第一金屬層和待測金屬層,通過待測導電插塞相互連接;所述外圍器件區的基底上具有若干重疊排布的測試焊盤和若干加載焊盤并通過貫通介質層內的測試導電插塞和加載導電插塞進行連接;在待測金屬層的同一層具有焊盤金屬層,所述焊盤金屬層通過測試導電插塞和加載導電插塞分別與測試焊盤、加載焊盤連接,所述焊盤金屬層通過至少兩個頂層導電插塞與第一金屬層連接。所述檢測結構能夠在不破壞標準焊盤結構以及不擴大設計區域面積的情況下,提高電遷移檢測的準確性。
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