本發明公開了一種Flash產品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法,包括對待分析Flash樣品的上表面各層進行減薄處理,露出含有ONO薄膜缺陷的儲存單元的第一多晶硅層區域,使用選擇性化學溶液對第一多晶硅層進行腐蝕去除,露出ONO薄膜,在ONO薄膜缺陷處,通過化學溶液繼續對該缺陷下方的第二多晶硅層進行腐蝕去除,對被腐蝕的ONO薄膜缺陷處進行定位,并制備缺陷平面樣品,供進一步進行缺陷觀察及失效分析。本發明可以更方便、準確且更精細地分析Flash產品的ONO薄膜缺陷,大大提高失效分析的效率,從而幫助迅速提高Flash產品的良率和可靠性。
聲明:
“Flash產品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)