本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種三維存儲器的失效分析方法。所述三維存儲器的失效分析方法包括如下步驟:提供一存儲區域,所述存儲區域包括多條平行設置的陣列共源極,相鄰陣列共源極之間具有插塞,所述插塞的端部用于與字線電連接;獲取與失效字線電連接的目標插塞的位置;形成連接線于所述存儲區域,所述連接線電連接所述存儲區域內的所有陣列共源極;分別引出所述目標插塞與一所述陣列共源極的觸點至所述三維存儲器外部,以對所述失效字線進行熱點定位分析。本發明提高了三維存儲器在失效分析過程中熱點定位的準確度和定位的效率,確保了三維存儲器失效分析結果的可靠性。
聲明:
“三維存儲器的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)