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    半導體激光芯片失效分析方法

    1012   編輯：管理員   來源：中冶有色網  
    2023-03-19 08:59:30
    本申請公開了一種半導體激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半導體激光芯片的襯底，直至露出所述半導體激光芯片的外延層；通過顯微鏡的暗場模式觀察所述外延層，分析得出失效部位。由于無需專門設備，僅使用顯微鏡即可解決激光芯片失效模式分析問題，從而降低了高功率半導體激光芯片失效分析成本；并且，顯微鏡是常用工具，不像專門設備，操作簡單，無需專業技術人員即可操作，降低了高功率半導體激光芯片失效的門檻。并且，通過顯微鏡的暗場模式來直接觀察所述外延層，保持了對失效區域高質量的成像，對推動高功率半導體激光芯片各項性能指標的研究有重要作用。
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    聲明：
    “半導體激光芯片失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
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    失效分析
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