本發明公開了一種對LED芯片表征進行失效檢測的方法,包括如下步驟:透過環氧樹脂透鏡觀察檢測未開封LED芯片上的失效情況;在分析出LED芯片表面有LED芯片裂紋、燒毀腐蝕情況時,基于掃描電子顯微鏡SEM掃描LED芯片裂紋、燒毀腐蝕情況,并基于失效部位輸出形狀、尺寸、大小、結構、顏色信息;基于二次離子質譜分析SIMS對LED芯片表面失效部分成分的污染成分進行分析,獲取芯片制造和裝備過程中附著的污染物和離子殘留物所具有的成分;對LED芯片進行斷面分析。通過本發明實施例,針對開封前、開封后以及斷面整體性分析,可以針對LED芯片失效得出一個全面分析的結果數據。
聲明:
“對LED芯片表征進行失效檢測的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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