本發明提供了一種柵氧層缺陷檢測方法及器件失效定位方法,在半導體襯底上形成柵氧層之后包括:以柵氧層為阻擋層對半導體襯底進行濕法刻蝕工藝;濕法刻蝕工藝所采用的刻蝕藥液對半導體襯底的刻蝕速率大于對柵氧層的刻蝕速率;檢測半導體襯底受到刻蝕藥液的腐蝕所產生的損失;基于半導體襯底的損失來分析柵氧層的缺陷。通過檢測出半導體襯底的損耗缺陷來分析柵氧層的缺陷,實現了對柵氧層缺陷和器件漏電的準確和實時監測,及時發現漏電問題,克服了現有的發現缺陷問題滯后以及難以檢測的問題,并且節約了時間和成本。
聲明:
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