本發明是以半導體器件電遷移失效物理模型為基礎,建立了一種基于仿真技術的半導體器件電遷移失效測試方法。在進行測試時首先需要收集半導體器件的相關信息;其次通過EDA軟件SABER平臺建立每個晶體管EDA模型及器件晶體管級EDA系統模型,并仿真得到半導體器件每個管腳的電壓仿真值;然后基于器件版圖等信息通過有限元仿真軟件Abaqus建立有限元模型,并將管腳的電壓仿真值注入到模型中進行仿真,得到金屬互聯線上的電流密度值;最后將收集得到的器件相關信息及仿真得到的電流密度值帶入到電遷移BLACK模型中計算器件內部的金屬互連線潛在故障點的失效時間,將其中最短的失效時間視為該器件的失效壽命。
聲明:
“基于仿真技術的半導體器件電遷移失效測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)