本發明提供了一種半導體器件高阻失效的測試方法,包括:提供測試樣品及其設計版圖,將所述測試樣品中可能存在高阻的路徑設置為待測路徑;根據所述設計版圖找到所述待測路徑的兩個端點,并將所述待測路徑接入一測試電路;以及,對所述待測路徑進行電性測試,根據所述電性測試的測試結果判斷所述待測路徑是否存在高阻。本發明通過設置半導體器件的待測路徑并對其進行電性測試,從而準確判斷所述待測路徑是否存在高阻失效,提高了測試效率。
聲明:
“半導體器件高阻失效的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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