本發明公開一種動態估計缺陷所造成記憶體特征失效的方法,包括:(1)建立設計版圖圖形失效和記憶體特征失效相對應的數據庫;(2)判斷生產線缺陷所造成的版圖圖形失效;(3)判斷圖形失效特征相對應的記憶體特征失效;(4)判斷整個記憶體芯片是否成品。本發明利用記憶體設計版圖和生產線上缺陷檢測結果相結合來動態地預估落在記憶體內部的生產缺陷所造成的特征失效的方法,結合可用的修復資源做來初步判斷該記憶體成品與否。本發明方法可以對缺陷進行動態即時的分析以及在電學測量之前估計成品與否,可用于集成電路制造時動態地預估記憶體生產線上檢測到的缺陷所造成的記憶體特征失效。
聲明:
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