本發明實施例公開了一種高壓半導體器件的短期失效模型的建模方法,包括:根據高壓半導體器件的內部元胞結構得到正常工作模型;建立根據所述高壓半導體器件失效后的器件模型;檢測所述高壓半導體器件的工作參數;當所述工作參數滿足失效邊界條件時,從所述正常工作模型切換到所述失效后的器件模型。由此,可以有效地同時描述失效發展過程中的器件行為和器件失效的最終狀態。
聲明:
“高壓半導體器件短期失效模型的建模方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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