本發明公開了一種溝槽MOS器件中位錯型漏電分析方法,包括步驟:采用EMMI分析方法獲取缺陷位置,缺陷位置對應于發光點,控制EMMI分析條件使發光點的直徑小于等于1.5微米;采用FIB方法在缺陷位置處制備TEM樣品,TEM樣品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM樣品的厚度大于等于缺陷位置處的發光點的直徑;對TEM樣品進行TEM分析。本發明能針對位錯引起的漏電失效,實現更快速準確的定位與分析確認。
聲明:
“溝槽MOS器件中位錯型漏電分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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