一種基于三維建模的分析空洞對IGBT熱可靠性影響的方法,用于IGBT失效分析與可靠性評估。根據封裝內部各結構層的尺寸,建立簡化的三維IGBT熱仿真模型。對該模型各個層賦以相對應的材料熱學特性,然后進行網格劃分以及設定該模型的邊界條件和初始條件。模型通過相應的實驗進行合理性驗證后,對比分析結果,得到芯片表面峰值溫度隨空洞體積變化的曲線。根據器件不同的應用條件和環境,可分別進行相應的模型仿真來得到空洞對芯片溫度分布的影響??梢岳梅抡娼Y果輔助對器件進行可靠性評估等。
聲明:
“基于三維建模的分析空洞對IGBT熱可靠性影響的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)