本發明涉及集成電路的電子顯微學表征技術領域,且公開了一種同步采集分析集成電路結構和成分信息的高分辨方法,包括以下步驟:一、利用樣品減薄設備對集成電路進行切割減薄,制備成薄區厚度為50nm的薄片;二、將上述制成的薄片鑲嵌于透射電鏡載網上;三、使用高分辨透射電子顯微鏡的掃描透射電子成像(STEM)功能,對集成電路中的被選擇區域進行觀察。本方案利用樣品減薄設備將集成電路中的被選擇區域制備為適宜透射電子顯微鏡觀察的薄片樣品,將此樣品在高分辨透射電鏡下同步進行高分辨級別的STEM成像與EDS/EELS采集,分析和區分集成電路各功能區域及其之間的界面等區域內的結構和成分分布信息,從而分析集成電路材料與器件構效關系和失效原因。
聲明:
“同步采集分析集成電路結構和成分信息的高分辨方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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