本發明公開了一種電子元器件表面腐蝕層厚度的檢測方法,屬于分析檢測技術領域。該方法采用飛行時間二次離子質譜儀對待測電子元器件樣品表面進行腐蝕元素定位,采集樣品表面成分信息,確認腐蝕元素,隨后進行縱向深度剖析,當腐蝕元素原子數不再隨剝離深度變化或檢測不出腐蝕性元素時,以此時的剝離深度作為腐蝕層厚度。該方法檢測步驟簡單,成本較低,無須額外制樣,檢測效率高,檢測靈敏度高可達ppm至ppb,精度達到納米級,能夠準確獲取腐蝕層厚度,對微型元器件的質量評估、可靠性評估和失效分析等方面具有較大的應用前景。
聲明:
“電子元器件表面腐蝕層厚度的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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