本發明涉及一種多層銅互連布線結構的檢測方法,包括如下步驟:采用開封方法獲取多層銅互連布線結構的裸芯片;清除所述裸芯片表面的殘留物;采用反應離子蝕刻法去除所述裸芯片表面的保護膜;采用熱熔蠟將去除保護膜后的芯片固定于研磨拋光夾具;根據失效分析的結果,對所述芯片的缺陷區域進行平行拋光剝層操作;利用顯微觀察監測平行拋光進度直至達到目標層。本發明的多層銅互連布線結構的檢測方法,可實現芯片中多層銅互連布線結構的逐層去除,實現密集多層銅互連布線結構中各層次形貌的平面觀察,對多層銅互連布線結構芯片的失效機理確認、提高集成電路的使用可靠性有重要的意義。
聲明:
“多層銅互連布線結構的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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