本發明涉及一種鎳侵蝕缺陷在線檢測方法,用于在CMOS器件制備工藝中檢測鎳侵蝕缺陷,包括如下步驟:a)、電子束掃描儀以第一配置參數掃描CMOS器件一表面區域,濾除非線條狀缺陷,第一配置參數包括第一電流值;b)、電子束掃描儀以第二配置參數掃描該表面區域,濾除線條狀缺陷,第二配置參數包括第二電流值;c)、以透射電鏡在暗場下掃描該表面區域,確定是否存在鎳侵蝕缺陷;d)、若存在鎳侵蝕缺陷,通過失效分析對鎳侵蝕缺陷進行核實與分類;e)、切換至另一表面區域,回到步驟a)繼續執行。其中,第一電流值小于第二電流值。該方法準確率高、實施簡單,易于在半導體行業內推廣。
聲明:
“鎳侵蝕缺陷在線檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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