本發明揭示了一種柵介質層的完整性檢測方法,包括:提供一待測樣品,所述待測樣品包括有源區以及形成于所述有源區上的柵電極結構和電介質層,所述柵電極結構包括堆疊設置于有源區上的柵介質層和柵電極,所述電介質層露出所述柵電極的表面;提供一電解池,所述電解池包括電源、電解池陽極以及電解液,所述電源的陽極連接所述電解池陽極;將所述有源區與所述電源的陰極電連接;將所述柵電極和所述電解池陽極浸入所述電解液中;如果某一所述柵電極的表面產生置換金屬,則判斷所述某一柵電極與有源區之間的所述柵介質層失效。采用本發明提供的柵介質層的完整性檢測方法可以快速準確地判斷柵介質層是否完整,并能精確地定位失效的晶體管的位置。
聲明:
“柵介質層的完整性檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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