本公開實施例中提供了一種正交形柵測試結構及測試裝置及方法及系統,屬于半導體器件測試技術領域,具體包括半導體基底,多個鰭層,控制柵和隔離柵,其中每兩個控制柵之間,間隔預定個數的隔離柵;第一金屬連線,第一接觸孔,交替設置于控制柵的兩側,第一接觸孔中沉積有金屬層,用于連接相鄰的兩個鰭層,以使多個鰭層形成一正交形結構。本方案用于檢測因制造工藝出現問題導致的接觸孔填充缺陷,有效找出工藝缺陷,獲得失效點的位點圖,具有較高的集成度和可觀測性,有利于用戶準確預測晶圓的良率。
聲明:
“正交形柵測試結構及測試裝置及方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)