本發明屬于半導體材料測量設備領域,具體涉及一種用于測試半導體薄膜塞貝克系數的基片及制備和測試方法。其在拋光基底上沉積圖形化的絕緣層,之后在圖形化區域內填充熱電阻電極、熱電阻、測試電極及引線,電極和引線圖形根據Seebeck系數測試要求設計,當測試半導體薄膜Seebeck系數時,被測薄膜沉積在有效區域內,覆蓋在引線之上,在兩個熱電阻電極上連接一大電流電源,熱電阻溫度由電源電流大小控制,待熱電阻溫度恒定,探測測溫點之間溫度差,并采集各個測試電極間的電位差,從而獲得材料的Seebeck系數。采用本發明測試Seebeck系數時,既不會由于高溫而導致引線失效,也不會使探針與被測薄膜直接接觸造成樣品損壞,從而推進薄膜Seebeck系數測試設備的商業化應用。
聲明:
“用于測試半導體薄膜塞貝克系數的基片及制備和測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)