本發明公開了一種對RRAM存儲器耐久性參數進行測試的方法,該方法包括:判斷RRAM存儲器當前所處的狀態,以確定起始向RRAM存儲器加載的脈沖是編程脈沖還是擦除脈沖;連續交替的向RRAM存儲器加載編程脈沖和擦除脈沖,并在向RRAM存儲器加載了10^Ln次編程脈沖和擦除脈沖后測試RRAM存儲器的狀態是否失效,在RRAM存儲器失效時記錄最后使RRAM器件失效的加載編程脈沖和擦除脈沖次數10^Ln,即得到耐久性參數為10^Ln-1次,其中Ln=n-1,n為自然數。利用本發明,極大加快了待測器件耐久性參數的獲取。
聲明:
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