本申請實施例提供一種半導體器件的耐量測試裝置及方法,通過電流沖擊單元按照設定峰值電流值、設定電流上升率以及設定脈沖周期向待測半導體器件輸入電流沖擊信號,并通過測試單元測試待測半導體器件上的電流沖擊信號、電流沖擊信號的測試脈沖次數以及待測半導體器件的器件狀態后,由主控單元根據待測半導體器件上的電流沖擊信號、電流沖擊信號的測試脈沖次數以及待測半導體器件的器件狀態生成待測半導體器件的電流上升率耐量值。如此,能夠將半導體器件的電流上升率耐受能力進行有效量化,以便于后續準確評估半導體器件的電流上升率耐受能力,進而采取必要手段降低半導體器件的失效比例。
聲明:
“半導體器件的耐量測試裝置及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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