本發明公開了一種SiC MOSFET浪涌性能的測試方法。將場效應管器件放置在測試探針臺上,連接浪涌電流產生電路和驅動電路,設置輸出電流幅值和周期并施加到場效應管器件進行浪涌測試,測量得到不同幅值浪涌電流下的源漏電壓、經過浪涌測試后器件的柵源電阻以及浪涌測試前和浪涌測試后的轉移特性曲線,轉移特性曲線的橫縱坐標分別為源漏電壓和漏極電流;利用浪涌電流產生電路產生浪涌電流,在浪涌電流通過器件后,器件在電學特性上會發生變化,根據電學特性的變化來判斷器件是否失效。本發明提供了一種簡單可靠的測試SiC MOSFET浪涌可靠性的方法,可有效得到SiC MOSFET場效應管器件的浪涌性能和數據。
聲明:
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