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    區分PMOS柵極與源漏極或N阱之間漏電的方法

    754   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:00:37
    本發明涉及一種區分PMOS柵極與源漏極或N阱之間漏電的方法,所述方法包括如下步驟:使用納米點針對失效PMOS進行2針漏電測試,其中一針扎在柵極上,另一針扎在N阱上,從而測量柵極到N阱是否存在漏電,得到電流?電壓曲線圖。如果所述電流?電壓曲線為正比斜線,則柵極與N阱之間存在漏電;如果所述電流?電壓曲線為二極管開啟曲線,則柵極到源漏極短路。本發明的區分PMOS柵極與源漏極或N阱之間漏電的新方法,能夠解決同類型案例分析技術難題,提高失效分析工作成功率,節約人力成本和機臺使用時間。
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