本發明公開了一種芯片靜電損傷的定位方法及裝置,該方法包括:對于芯片的失效樣品,采用鎖相缺陷定位熱發射顯微鏡對失效樣品中的缺陷位置進行定位評估,以得到失效樣品的初始失效點;調節鎖相缺陷定位熱發射顯微鏡的定位參數后,再次采用鎖相缺陷定位熱發射顯微鏡對失效樣品中的缺陷位置進行定位評估,以得到失效樣品的新增失效點;采用掃描電子顯微鏡,對初始失效點和新增失效點的特征信息進行分析,以將初始失效點和新增失效點中特征信息與設定的靜電損傷信息相同的部分失效點,確定為樣品的靜電損傷點。本發明的方案,可以解決芯片損傷位置的定位難度較大影響芯片的可靠性的問題,達到減小芯片損傷位置的定位難度以提升芯片的可靠性的效果。
聲明:
“芯片靜電損傷的定位方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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