本發明公開了一種CMOS電路單粒子瞬態的建模方法,該方法包括:A、將單粒子入射節點處的電荷收集機制采用瞬態電流源來表示;B、在瞬態失效分析時將CMOS電路分為不同的級段,每個級段均由NMOS模塊和PMOS模塊構成;C、將CMOS電路單粒子瞬態簡化為輸出節點集總有效負載電容C、有效電阻R和瞬態電流源的并聯回路;D、推導出單粒子瞬態脈沖寬度表達式和瞬態脈沖峰值表達式;E、當單粒子入射節點瞬態脈沖峰值超過VDD/2時,認為發生單粒子翻轉錯誤。利用本發明,基于簡單的解析模型,可以評估復雜電路中每一門電路的單粒子瞬態敏感度。
聲明:
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