在OTP存儲器中,反熔絲存儲單元內寄生電容的存在將對OTP存儲器編程后的讀取閾值造成很大影響,嚴重時有可能無法正確讀取編程數據,導致讀機制的失效。本發明在介紹OTP存儲器的整體讀取電路以及靈敏放大器功能的基礎上,通過理論分析以及仿真闡述了反熔絲存儲單元內寄生電容對OTP存儲器讀取閾值的影響,并提出了解決方案,從而消除了存儲單元內寄生電容對OTP存儲器電路讀取閾值的影響,最大程度保證了存儲器的讀取閾值,這可以最大程度的保證OTP存儲器的讀取閾值,提高OTP存儲器用戶的編程效率,提高芯片成品率。
聲明:
“讀取閾值受寄生電容影響的OTP存儲器設計” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)