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    CMOS器件極限低溫特性評價方法

    1244   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:01:44
    本發明提供了一種CMOS器件極限低溫特性評價方法,包括以下步驟:步驟1:確定被測CMOS器件與測試參數;步驟2:搭建極限低溫測試平臺;步驟3:開展常溫測試與極限低溫測試;步驟4:確定CMOS器件極限低溫下的關鍵參數;步驟5:建立以關鍵參數表征的CMOS器件應力強度干涉模型;步驟6:計算CMOS器件極限低溫失效概率。該方法考慮到在極限低溫環境下CMOS器件會出現載流子凍析效應,造成器件的性能參數漂移甚至失效,搭建了一套極限低溫測試平臺對CMOS器件開展極限低溫測試,并根據測試結果,使用應力強度干涉模型評價CMOS器件的極限低溫特性,計算出CMOS器件極限低溫下的失效概率,此方法彌補了CMOS器件低溫測試及評價方面的技術空白,且利于推廣實現。
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