本發明公開了一種硅通孔的容錯單元與容錯方法。硅通孔容錯單元包括硅通孔結構TSV1~TSVn、節點N11~N1n、節點N21~N2n以及開關模塊。硅通孔結構TSVi連接于第一芯片的節點N1i與第二芯片的節點N2i之間,其中1≤i≤n。開關模塊連接于第二芯片的節點N21~N2n與第二芯片的測試路徑之間。在正常操作狀態下,當硅通孔結構TSV1~TSVn有效時,開關模塊不連接該測試路徑與節點N21~N2n。在正常操作狀態下,當硅通孔結構TSVi失效時,開關模塊將節點N2i連接至其它第二節點中至少其中之一。在測試狀態下,開關模塊將該測試路徑連接至節點N21~N2n。本發明容錯單元不需增加額外的硅通孔結構便可以實現硅通孔容錯的效果。
聲明:
“硅通孔的容錯單元與方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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